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武漢華工激光工程有限責任公司
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本設備針對8英寸及以上芯片封測廠，應用于半導體行業40nm及以下的low-k晶圓和硅基GaN等晶圓表面劃線或開槽加工。 重復定位精度 ±1μm 視覺定位 自動 晶圓尺寸 8 inch（可兼容12inch）
利用超短脈沖加工，減少崩邊、脫層和熱影響，采用高精度視覺定位，保障開槽位置
基于空間光調制技術，整形光斑尺寸和形狀可調節，且激光能量利用率高，響應快
集成保護液涂覆、晶圓開槽和清洗模塊
| 內容 | 主要技術參數 | |
| 激光器參數 | 中心波長 | ~532nm |
| 加工頭 | 空間光整形模塊 | |
| 加工性能 | 有效工作行程 | 300x400mm(選配) |
| 重復定位精度 | ±1μm | |
| 視覺定位 | 自動視覺定位 | |
| 開槽深度 | ≥10µm | |
| 其他 | 晶圓尺寸 | 8 inch （可兼容12inch ） |
| 工藝流程 | 保護液涂覆— 晶圓開槽—清洗 | |
| 加工對象 | Low- k晶圓 、硅基GaN 等 | |
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